标签:
NAND
【大纪元11月25日报导】(中央社记者张建中新竹25日电)集邦科技预期，明年储存型快闪记忆体 (NAND Flash)位元需求将较今年成长80.2%，位元供给也将较今年增加78.3%，明年产品平均价格恐下跌35%。
集邦科技表示，随着经济稳定复苏，智慧型手机及平板电脑市场高度成长带动下，明年NAND Flash位元需求将较今年成长达80.2%；其中，内建式NAND Flash 比重将大幅拉升至6成以上规模。
供给方面，集邦指出，NAND Flash供应商明年位元产出增加仍以制程技术提升为主，预期主力制程将自今年的40奈米及30奈米世代制程技术，转进至30奈米及20奈米世代制程技术；明年NAND Flash位元供给将较今年增加78.3%。
集邦科技表示，尽管明年上半年因传统淡季效应影响，NAND Flash市场仍将持续供过于求，不过，第 1季因供应商放缓扩产，加上平板电脑、智慧型手机新机种上市助益，淡季效应可望减缓。
明年下半年在新产品上市及传统旺季效应发酵下，集邦科技预期，NAND Flash市场可望回复较平衡状态，估计明年NAND Flash产品平均价格将较今年下滑约35%。
