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【大纪元1月28日报导】(中央社记者张建中新竹28日电)动态随机存取记忆体(DRAM)现货价强劲反弹，激励DRAM厂及记忆体模组厂股价走扬，盘中强攻涨停如南科18.45元及商丞47.15元。
DRAM市场在去年第4季产品价格腰斩后，近期市场气氛渐趋乐观，产品价格即将落底已成业界共识，有部分业者甚至预期，在产能排挤下，DRAM市场将出现供应吃紧情况。
DRAM现货价走势也急遽转强，根据集邦科技调查，27日DDR3 1Gb品牌颗粒现货均价弹升至1.13美元，上涨8.22%；DDR3 1Gb有效测试颗粒 (eTT)均价也回升至0.9美元，上涨7.89%。
随着现货价强劲反弹，DRAM制造厂及记忆体模组厂今天股价连袂走扬；其中，南科股价一度攻上涨停，达新台币18.45元，商丞也强攻涨停，达47.15元。
