【大纪元4月25日报导】（中央社记者吴佳颖台北25日电）不让英特尔 (Intel)与美光20奈米制程专美于前，快闪记忆体另一阵营SanDisk与东芝宣布推出采用19奈米制程技术的64GBx2(2-bits-per-cell)记忆体晶片，强调效能与稳定度。
SanDisk(晟碟)表示，这项最新的技术将有助SanDisk 日后针对手机、平板电脑与其他装置，推出兼具高容量与小尺寸的嵌入式可抽取储存装置。
SanDisk计划在第2季将这项19奈米制程的64GB x2晶片送样，2011年下半年开始量产；届时SanDisk还会推出19奈米制程x3 (3-bits-per-cell)的晶片。
SanDisk执行副总裁暨技术长Yoram Cedar表示，在和东芝 (Toshiba)持续合作下，这款采用19奈米制程技术，是领先业界、尺寸最小、成本最低的NAND flash(储存型快闪记忆体)晶片。
SanDisk表示，19奈米制造技术不仅在制程方面更为先进，在元件设计上，SanDisk拥有专利All-Bit-Line (ABL)架构和多层资料储存管理方案，有助生产多层电路元 (Multi-level Cell, MLC) NANDflash晶片，效能与稳定度更优异。
