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记忆体
【大纪元2019年03月14日讯】（大纪元记者张原彰台湾台北报导）被称为“不失忆”记忆体的磁阻式随机存取记忆体（MRAM）已是三星、东芝、英特尔等全球半导体大厂积极投入的领域，台湾清华大学成功以前瞻性的技术突破MRAM瓶颈，经由科技部半导体射月计划的连结，将对于国内记忆体产业发展有决定性的影响力。
电脑、平板、手机的核心越来越小，全球大厂寻找体积小，且可稳定与快速处理资讯的技术，MRAM则是被看好的记忆体。有别于DRAM，MRAM兼具处理与储存资讯的功能，且断电时资讯不会流失，电源开启可即时运作，耗能低、读写速度快等优点。
不过MRAM技术突破正面临瓶颈，因其得操控钉锁住的铁磁层，且现今采用的外加磁场或是升降温度，都与电子元件造成冲突，世界各研究团队正寻求崭新的操控技术。
科技部表示，清大团队利用自旋流通过铁磁-反铁磁膜层，技术可与现有电子元件的操控与制程无缝接轨，是MRAM的大突破，为自旋电子学的发展带来崭新视野。
科技部表示，目前研究团队将此突破性的发现，应用到其它结构的奈米膜层，陆续发现更多具影响力的结果，除了学术的贡献外，经由科技部半导体射月计划的连结，将对于国内记忆体产业发展有决定性的影响力。
科技部表示，这项技术在学理上的存取速度接近SRAM，具快闪记忆体的非挥发性特性，平均能耗远低于 DRAM，应用于嵌入式记忆体（Embedded Memory）极具潜力，随着人工智慧、物联网装置与更多的资料收集与感测需求，MRAM的市场也将迅速成长。◇
责任编辑：玉珍
