韩国SK海力士推出最快最大容量DRAM内存

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【大纪元2021年10月28日讯】(大纪元记者徐亦扬、李润静采访报导)韩国芯片企业SK海力士(SK Hynix Semiconductor Inc.)日前推出业界最先进的DRAM内存HBM3。韩国芯片专家表示,这是迄今为止速度最快、容量最大的内存。

SK海力士10月20日宣布,已成功开发第三代DRAM内存HBM3。这款芯片每秒能处理819GB数据,可以在1秒内下载163部全高清电影,与之前的产品HBM2E相比,数据处理的速度提高了78%。

SK海力士表示,HBM3不仅是业界最快的DRAM内存,并且有业界最大容量。这款芯片的推出将有助于巩固该公司在市场的领先地位。

SK海力士是全球第二大存储芯片制造商,其主要客户包括苹果。

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,是计算机存储器中最常见的类型,可以在很小的物理空间中保存大量数据。

HBM(High bandwidth memory),即高带宽存储器,是一种CPU/GPU内存芯片(即 “RAM”),就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计,信息交换的时间将会缩短。

芯片专家:HBM是韩国半导体的骄傲

“HBM是我国半导体的骄傲!”韩国芯片工程学会会长、韩国西江大学教授范镇旭(Jinwook Burm)10月26日在接受大纪元记者采访时这么说。HBM3是迄今为止最快、可以处理数据量最大的储存器

据范镇旭介绍,HBM3是可以快速读写大量数据的存储器,是第四代HBM半导体。因之前以HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3进行开发,因此这款半导体被称为第四代。

他介绍说,数据的传递和快递或物流运输相似,HBM是一次性大容量运输,且HBM3每秒可以处理819GB数据。

他表示,随着人工智能半导体的发展,图片处理装置(GPU, Graphical Processing Unit)的使用正在增加,在引领未来产业方面是必不可少的技术。“SK海力士完成了最高速度(819GB/s)和最大容量(24GB)”。

同时,与普通存储器相比,HBM3应用了存储堆积(叠加)这一高难度技术。范镇旭解释说,如果说普通存储器是1层建筑,那么此次推出的HBM3等于12层建筑。

他说,“晶片必须是30微米(厘米的一万分之一)的厚度,这是非常薄的,而且要整齐排列堆放,这是非常困难的技术。此次在HBM技术中实现了最好的性能,虽然其难度很高,但正在发展成为未来经常使用的成套技术。”

他认为,HBM3的开发成功有助于韩国国内技术的发展和确保国际竞争力。他说:“HBM技术被用于人工智能半导体的核心,开发也需要高难度的尖端工程,因此这种技术可以超越HBM,扩大相关技术的发展。”

他还说,虽然HBM技术已经开发出来,但其速度和容量仍呈增加趋势,SK海力士在HBM领域一直保持着领先地位。

此前,韩国三星电子在10月12日宣布开始量产采用极紫外(EUV, Extreme Ultraviolet)技术的14纳米动态随机存取储存器(DRAM)。

三星在14纳米DRAM上使用了5层EUV,实现了最高位密度,同时将整体晶圆生产效率提高了约20%。与上一代DRAM节点相比,14纳米工艺可降低近20%的功耗。

根据最新的DDR5标准显示,三星的14纳米DRAM将开创过去产品所未有的传输速度,速度高达7.2千兆比特每秒(Gbps),是DDR4的两倍多。

范镇旭表示,DDR5是用于中央处理器(CPU, Central Processing Unit)的存储器,GDDR和HBM是用于图片处理装置的存储器。与其说存在优劣,不如说是为了体现必要的特性而制作的不同。

他说:“三星批量生产14纳米EUV DDR5 DRAM是了不起的技术。”“我国存储器的市场占有率之所以超过70%,是因为确保了技术优势。”

他认为,在DRAM上,韩国三星和SK海力士将继续保持优势。“我认为,我国通过确保技术优势,可以克服代工部分的缺点。”他说,“在激烈的竞争中,包括台积电(TSMC)在内的台湾企业和美光(Micron)等想要重新占据半导体霸权的美国企业的挑战非同寻常。”

他预测,半导体领域的前景是光明的,并认为全球半导体供应不足的现象可能只是暂时的。今后,半导体市场将爆发性增长,大规模活跃。

“随着数据将世界转型,电子设备的使用也比过去有所增加,再加上自动驾驶汽车问世,将会产生原本没有的需求。比如数据中心、人工智能、汽车半导体领域的年均增长率在30%至40%左右。”他说。@

责任编辑:连书华

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