【大纪元2021年02月28日讯】（大纪元记者苏静好报导）周五（2月26日），美国司法部发表新闻稿说，居住在香港的中国商人吴志龙（音译，Winsman Chi Lung Ng，又名Winsman Ng）因涉嫌盗窃通用电气（GE）价值数百万美元的碳化硅（silicon carbide，简写为SiC）MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）技术机密，被美国起诉。
起诉书显示，大约在2017年3月至2018年1月之间，吴志龙和至少一个同谋策划了一项业务，该业务将利用从GE窃取的商业秘密，来制造和销售“碳化硅MOSFET”。
与相同功率等级的“硅MOSFET”（Si MOSFET）相比，“碳化硅MOSFET”导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
司法部新闻稿表示，吴志龙与至少一名在通用电气工作超过7年的工程师（同谋＃1），计划利用从GE盗取的“碳化硅MOSFET”技术机密和其它专有信息，吸引投资者注资两人开发的项目。
新闻稿说，吴和“同谋＃1”利用这些商业秘密制定了商业计划并撰写PowerPoint演示文稿，将其提供给潜在投资者；他们告诉潜在投资者，这项业务可以在三年内获利，其创业公司拥有有形和无形资产，估价1亿美元。作为该计划的一部分，两人寻求约3000万美元资金，以换取其初创公司的部分所有权。据称，2017年8月，吴和“同谋＃1”在中国会面，并向正在考虑给吴的初创公司提供资金的中国投资公司做介绍。
司法部表示，目前没有证据表明“碳化硅MOSFET”技术已经被非法转让给任何中国公司，包括吴及其同谋试图创办的公司。
司法部国家安全部助理部长约翰·C·德默斯（John C. Demers）表示：“据称，吴志龙及其同谋选择盗窃他们因缺乏时间、智慧或金钱而无法创造的东西，为了外国公司的利益而盗窃美国知识产权，使美国公司失去创新果实，剥夺了美国工人的工作机会。本部门将竭尽全力摧毁这种非法和经济破坏性行为。”
美国纽约北部地区检察官伊丽莎白·C·库姆（Elizabeth C.Coombe）表示：“正如起诉书中所指，吴及其共谋从通用电气窃取商业机密，以成为（通用电气的）竞争对手……我们将继续与联邦调查局合作，追究那些企图从我们地区创新公司那里窃取商业机密的人。”
FBI反情报部门副主任艾伦·科勒（Alan E. Kohler Jr.）表示：“联邦调查局敦促任何美国企业若怀疑任何人（不论国籍）试图窃取商业机密，请与我们联系。只有与美国企业紧密合作，我们才能保护我们的经济和国家安全。”
FBI纽约州首府奥尔巴尼驻外办事处负责人托马斯·雷尔福德（Thomas F. Relford）表示：“根据起诉书，吴和共谋从通用电气那里窃取有价值的敏感技术，并在中国进行生产。”
“我们的办公室、美国检察官办公室和GE密切配合，并迅速开展工作，以防止盗窃和由此对我们经济安全造成的损害。”他说。
吴志龙尚未被捕。如果被定罪，他将面临最高10年的监禁和25万美元的罚款。
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