【大纪元3月24日讯】（法新社东京二十三日电） 日本独立产业技术总合研究所今天表示，它已发现能促进人工钻石成长的技术，生产钻晶半导体的目标已愈来愈近。
这个研究所表示，它已促成一颗钻晶成长，速率和美国华盛顿卡内基研究所去年所宣布的速率相同。领导独立产业技术总合研究所钻石研究小组的堀野裕治说，他们认为这应该有助于日本在发展钻晶半导体的领域上，更具有竞争力。
与目前普遍运用在电脑晶片和其他电子装置方面的硅晶相比，钻石因具有高度的热传导性及机械强度而被视为是下一代的半导体物质。
前述日本研究所为促使人工钻石成长，加热甲烷、氢和氮气以生产电浆，再引导后者流过一颗放置在热板上的微小钻晶。结果是，这颗四釐米乘四釐米乘零点五釐米的种子钻晶在五十五小时之内，成长到七釐米乘七釐米乘二点八釐米大。
独立产业技术总合研究所说，这种成长速度比日本现行的传统方法快五倍。
堀野表示：“我们浓缩了电浆，并以气体内容比例进行实验。这项结果是我们发展大钻晶努力上的一大步。”他希望“五年内”能看到钻晶半导体研发作业出现重大转捩点。
堀野说，研究所的目标是应用这项技术，研发生产一吋大的钻石半导体晶圆。钻晶至少要成长到十釐米乘十釐米大，才能运用在工业上。(http://www.dajiyuan.com)
