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缩短与三星差距? 中国长江存储量产232层NAND

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【大纪元2023年10月31日讯】(大纪元记者侯骏霖报导)美国近期不断升级对中国晶片出口管制,但韩国媒体“BusinessKorea”30日报导,中国记忆体巨头长江存储已成功开发并量产232层NAND快闪记忆体,缩短与韩国企业包含三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士的差距。

该媒体引述《南华早报》报导指出,半导体分析公司TechInsights发布一份报告揭露,在今年7月推出的1TB消费级固态硬碟(SSD)致钛(ZHITAI)600商品中,发现长江存储生产的232层4层单元(QLC)3D NAND记忆体。

三星电子虽未对外透露相关数据,但市场传闻其NAND最高堆叠层数为236层,而SK海力士NAND则为238层,也意味着长江存储可能开始缩小与韩国企业的差距。

华为自今年8月推出Mate 60 Pro智慧型手机采用中芯国际7奈米晶片后,中国似乎克服美国实施的贸易制裁,并建立其自身半导体供应链。《南华早报》4月曾报导,长江存储在美国制裁的情况下,计划使用国产设备生产先进的3D NAND。

NAND需要先进的叠层技术,是一种即使断电也能保存数据的记忆半导体,由于叠层会影响数据容量的多寡,为NAND竞争关键。不过,TechInsights报告对于长江存储的3D NAND,是否完全以中国设备或元件生产并无着墨。

责任编辑:唐音

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