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三星放话5年内超车台积电 关键在2奈米

国内专家表示,三星想要弯道超车台积电,仍有一大段的距离。(Jung Yeon-je / AFP)
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【大纪元2023年05月05日讯】(大纪元记者张原彰台湾台北报导)台积电三星在半导体制程上的竞争始终是产业关注焦点,三星电子半导体事业主管庆桂显4日坦言,现阶段确实在技术上输给台积电,但是一但进入到2奈米,将采用的是GAA架构,三星在此领域已领先台积电。对此,台专家表示,三星想要弯道超车台积电,仍有一大段的距离。

综合媒体报导,庆桂显说,三星的4奈米落后2年、3奈米落后3年,但等到进入GAA架构后情势可能逆转。

他说,三星已在3奈米布局GAA架构,而台积电的状况是,3奈米采用鳍式场效电晶体(FinFET)技术,等到2奈米才会导入GAA,三星有自信可以掌握优势,预计在5年内制程技术就可超越台积电。

三星声称3奈米GAA技术能比上一代制程节点提高效能30%、减少耗能50%、缩减晶片面积45%,三星的计划是,明年起根据GAA架构量产2奈米晶片。

庆桂显说,以客户对GAA的接受程度而言,“确实有客户较偏好我们的GAA技术,但我不能透露客户名称,三星的晶圆代工客户群正在扩增”。

对于三星发出5年内在制程技术超越台积电的豪语,台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真表示,三星(Samsung)去年6月就宣布3奈米制程导入环绕闸极(GAA)架构,因良率提升速度较预期缓慢,三星3奈米争取到的客户订单极为有限。

刘佩真说,透过降价抢单策略,传出三星分食到超微或Google部分4奈米订单,不过这些大客户仍主要由台积电代工生产,因为台积电先进制程良率稳定度及整体表现都优于三星。

她进一步分析,台积电囊括全球晶圆代工市场高达58.5%的市占率,远高于三星的15.8%,预期未来三星想要弯道超车台积电,仍有一大段的距离。

​责任编辑:玉珍

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