【大纪元1月1日报导】记忆体模组产业回顾与展望专题(中央社记者张良知台北一日电)在Vista效应落空下，DRAM行情2007年出现崩跌走势，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）报价一度跌破0.8美元，跌幅超过8成。尽管国际大厂尚未出现较明显的减产，但现货价目前已出现止跌，记忆体模组业者苦撑待变，期望2008年第一季末或第二季的反弹。
回顾2007年记忆体价格走势，2007年初DDR2 512MbeTT 颗粒现货价仍有6美元左右的价位，不过随着Vista需求的落空，以及大厂产能的开出，供给大于需求的情况下，现货价格自第二季起走低，至第四季末并跌破0.8元关卡，全年跌幅超过8成，制造厂及模组厂商第四季亏损压力大增。
不过在台湾DRAM大厂已表示将减少2008年的资本支出，加上跌破制造厂商的变动成本，现货价近日出现止跌反弹。一向乐观看待DRAM的力晶董事长黄崇仁表示，DRAM价格的反弹绝对不会是瞬间的，厂商不可能一直忍受亏损，但对于此波的反弹可以维持多久，他则表示这尚未确定，仍待观察。
另一方面，黄崇仁观察，近来国际同业大厂不是进行减产，就是将产能转去做FLASH，以目前需求维持稳定的状况下，供给减少，价格回升的趋势就较为确定。
业者指出，2007年以来DRAM平均价格（ASP）重挫超过8 成，加上部分大厂在跌至1.5美元及1美元关卡时进场抢货，目前均处于套牢亏损情况，因此近期价格在跌落0.8美元后反弹，有助于模组厂商减低库存跌价损失的压力；不过由于市面上仍有先前未消化完的库存，预估真正较明显反弹在2008年的第二季。
目前力晶、南科等制造商已对于2008年资本支出态度转趋保守，但仍未有实际减产行动，韩国三星、海力士等大厂，也尚未传出有减产计划。模组厂商威刚(3260) 董事长陈立白认为，DRAM能否有效止跌反弹仍须待国际大厂的减产动作。
陈立白指出，DRAM价格现在起随时都有机会反弹，就算国际大厂短期“硬撑不减产”，但在庞大的价格压力下，最多“撑”到今年3月底，就会因为受不了持续亏损而开始减产，只要有第一家非台系业者喊出减产，就会陆续有更多业者响应，减少供过于求的问题。
此外，由于DRAM价格大跌，也刺激了电脑搭载DRAM的容量，原本预期每台PC为迎接Vista，搭载DRAM将以1GB为主流，现在因为DRAM太便宜，不少OEM厂推出的单机已喊出随机搭载2GB容量的DRAM，有助消化市场过剩的供给量，稳定价格走势。
在NAND Flash方面，苹果电脑采购旺季已过，但价跌有助新应用产品问世，扩大市场需求，长期应以正面解读。陈立白认为，刺激下一波NAND晶片最大应用将是固态硬碟（SSD），2008年起就会陆续开花结果，至2011年起大量取代传统硬碟，造就更大的NAND市场商机。
记忆体模组大厂创见董事长束崇万也表示，记忆体市况对业者仍是严峻考验，而价格在打到谷底后势必反弹，2008年记忆体市况“没有看不好的理由”。
束崇万说，现阶段记忆体市况最大问题在于产品均价（ASP）不振，但终端需求并非不好，以创见为例，DRAM模组近期出货都以倍数成长，创见中国大陆厂每天全产能运作，产能仍不敷订单需求。
束崇万指出，去年记忆体市场有点重蹈1997年、2001年时的状况，但就过去经验来看，在恶劣的环境过后，晶片制造业者不可能一直处于赔钱，反弹点也会出现。
整体来看，近日DRAM现货价止跌反弹，有助模组厂减低库存压力，不过在采购旺季已近尾声、韩系国际大厂尚未出现明显减产动作下，业者认为，要到今年第一季末或第二季后才有较明显的需求。
