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复苏可期 DRAM、模组厂强弹

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【大纪元11月30日讯】〔自由时报记者李宜儒/台北报导〕模组厂期盼的上游减产可望实现,包括韩国海力士及台湾南科(2408 )都传出明年资本支出将缩减,市场预期DRAM市场景气最快在明年下半年就有机会复苏,在美商美光(Micron )周三大涨带动下,国内DRAM厂昨天也同步出现反弹,其中力晶〔5346〕中场过后就锁住涨停,茂德〔5387〕也数度冲上涨停,另外南科及华亚科(3474 )的涨幅也在3%以上。

模组厂股价昨天也跟进大幅反弹,创见(2451 )顺利收复百元大关,威刚〔3260〕也一度站上60元,劲永(6145 )更是攻上涨停。

继欧洲大厂奇梦达(Qimonda )为了避免欧元升值而冲击营运绩效,将调整欧元地区DRAM生产比重,由40%降至30%,记忆体大厂韩国三星电子也表示,目前DRAM价格虽然持续下跌,不过由于苹果电脑的iPod等手持式装置对NAND Flash需求大增,这也说明了,厂商势必会移转DRAM产能到NAND Flash。三星因此预期,DRAM市场明年就会复苏,而时间点最快可能从下半年开始。

不过根据集邦科技报价显示,DDR2 512Mb eTT(有效测试 )颗粒价格更是一连跌破1.0美元及0.9美元,厂商亏损幅度更是一直加大。集邦科技还预估,若是DRAM价格持续下跌,以目前下游库存水位判断,DDR2 512Mb价格恐将下探0.7美元。

(http://www.dajiyuan.com)

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