【大纪元2015年12月24日讯】（大纪元记者郑孝棋综合报导）12月22日，美国白宫公布2015年度美国最高科技奖项获奖者名单，有9人获得国家科学奖（National Medal of Science），8人获得国家技术和创新奖（National Medal of Technology and Innovation），其中美籍华人科学家胡正明（Chenming Hu）是国家技术和创新奖获奖者之一。
据加州大学伯克利分校新闻网站报导，胡正明是该校电气工程和计算机科学教授，上周他刚当选美国发明家学会（NAI，National Academy of Inventors）院士。1997年当选美国国家工程院院士。
胡正明是微电子微型化和可靠性领域的主要开拓者，也是鳍式场效晶体管（FinFET）的发明者，如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。胡正明1947年出生于北京豆芽菜胡同，在台湾长大，后来考入加州大学伯克利分校。
FinFET技术允许半导体工业生产更小更可靠和性能更高的集成电路。胡正明曾介绍，FinFET有两个突破，一是把晶体做薄后解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直。他认为，FinFET的真正影响是打破原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，这项技术现在仍看不到极限。
胡正明等17位获奖者明年将在白宫出席颁奖仪式。
维基百科资料介绍，胡正明1968年毕业于国立台湾大学电机工程系。此后赴美国留学，先后于1970年、1973年获柏克莱加州大学硕士、博士学位。毕业后前往麻省理工学院任助理教授。1976年起任教于加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系。1996年创办思略微电子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事长。2001年至2004年间担任台积电首任技术执行长，兼任柏克莱加州大学台积电杰出讲座教授。2004年后回校任教。2008年起任SanDisk公司董事。
美国国家技术和创新奖1980年立法设立，由美国联邦政府商务部下属专利商标局管理。一个独立委员会负责向美国总统提名获奖人，表彰那些为提供美国竞争能力、国民生活品质和劳动力技术素质作出持久贡献的人士。
美国国家科学奖是美国科学界最高荣誉，1959年设立，由美国国家科学基金会管理，由另一个独立委员会向总统提名，表彰在化学、工程、计算、数学、生物、行为和社会以及其他自然科学领域作出杰出贡献的人士。
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