【大纪元7月4日报导】(中央社记者张建中新竹4日电)NOR Flash及利基型DRAM市况佳，让华邦电成功转型，也吸引台湾DRAM厂南科、茂德及力晶等全面朝多元化经营，将有助DRAM产业趋于稳定发展。
个人电脑用标准型动态随机存取记忆体 (DRAM)市场波动剧烈，让DRAM厂营运起伏变化大；包括力晶、南科、华亚科及茂德等台湾4大DRAM厂于2006年第4季产业景气大好时，曾单季大赚新台币347亿元。
随后DRAM市场因过度投资，进入有史以来最严峻不景气，力晶等4大DRAM厂于2008年第4季随即大亏613亿元；各厂甚至面临存亡考验。
近年全球DRAM厂全面减产，加上产业景气急遽翻扬，DRAM产业得以复苏，DRAM厂营运顺利好转。台湾DRAM厂经历惨痛经验后，纷纷展开多元化经营，期能减缓标准型DRAM市场波动的冲击。
台湾DRAM厂中，以华邦电转型最成功，第1季标准型DRAM比重已不到3成；利基型DRAM已成为华邦电主力产品，所占比重达36%，编码型快闪记忆体 (NORFlash)比重约2成，行动记忆体约占16%。
利基型DRAM与行动记忆体今年来分别在数位电视、机上盒 (STB)及智慧型手机等产品强劲需求带动下高度成长，前景也颇被看好，为其他DRAM厂一致锁定跨足的目标市场。
南科除计划持续扩大消费性电子及服务器产品比重，并积极冲刺行动记忆体产品市场，预计明年产品比重将自目前的6%至7%，进一步扩大到 1成水准；未来标准型DRAM比重将朝5至6成目标迈进。
茂德也决定未来最少将有一半产能投入生产消费性电子及行动记忆体产品。董事长陈民良表示，未来茂德将成为合作伙伴日本记忆体大厂尔必达 (Elpida) 消费性电子及行动记忆体生产基地。
力晶则保留部分产能为力积、钰创及晶豪科等利基型DRAM设计厂代工生产。
除了利基型DRAM及行动记忆体外，力晶与茂德也不约而同决定跨足储存型快闪记忆体 (NAND Flash)领域。其中，力晶自行开发的70奈米NAND Flash产品已量产出货。
茂德则加入台湾创新记忆体公司 (TIMC)主导的研发联盟，投入NAND Flash双子星技术开发；初期将锁定行动通讯应用，开发中低阶产品。
此外，力晶也与日本瑞萨共同开发12吋面板驱动IC产品。
DRAM厂多元化经营，除可让不具生产标准型DRAM成本效益的产能，得以发挥残留价值，同时可减缓营运波动；对台湾DRAM产业稳定发展也颇具正面意义。
