美科學家發明超高密度的記憶體電路

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【大紀元2月1日訊】(大紀元記者林節編譯)美國加州的研究人員發明出世界上密集度最大的記憶體電路,只有人類的一個白血球細胞般大小,但比目前的標準記憶體電路的密集度超出100倍。

根據newsfactor網站的報導,這個由加州理工學院(California Institute of Technology)和加州大學洛杉磯分校(University of California, Los Angeles)的科學家們發明的記憶體電路,有16萬位元的容量。研究結果發表在自然(Nature)期刊上。

研究人員說真正令人激動的突破是該記憶體電路的密度大小,達到每平方厘米有一千億位元容量,是目前記憶體電路密集度的100多倍。

專家們認為,這項新的發明顯示有可能將集成電路做到及其小的芯片上。儘管至少需要十年的時間才有可能大規模的生產,但新發明還是會刺激製造商發明新工藝,將更多的電路擠壓進更小尺寸的芯片裡。

這項研究也顯示出芯片技術的發展速度超過了摩爾定律的預期。摩爾是英特爾公司的創始人之一,他在1965年發現,芯片上集成的電晶體數量大約每兩年便翻一倍。

16萬記憶位元的排列,按照研究人員的描述,就像一個大型的棋盤。400條矽絲和400條鈦絲縱橫交錯,中間分佈著一層分子開關。

每一個記憶位元只有15奈米寬,作為比較,目前記憶體電路的記憶位元寬度有140奈米。一奈米相當於十億分之一米。
(http://www.dajiyuan.com)

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