【大纪元2月3日报导】(中央社记者张建中新竹3日电)DRAM 产业景气超乎预期快速反转，去年第4季又有厂商出现单季亏损逾新台币百亿元的惨烈情况；为求生存，国内DRAM厂决定转进利基型记忆体及代工领域。
动态随机存取记忆体 (DRAM)产业经历2007年至2009年近3年不景气后，原本各界普遍看好，DRAM产业可望维持2年的好光景。
只是市场回温不到1年，DRAM产业又急遽恶化；根据集邦科技调查，去年第4季DDR3 1Gb颗粒合约均价自1.97美元，大幅滑落至0.97美元，单季价格面临腰斩窘境，跌幅达5成。
随着产品价格大跌，DRAM厂再次面临严重亏损，南科去年第4季税后净损达101.22亿元，平均1天亏损逾1亿元。
包括力晶及茂德等DRAM厂也面临沉重财务压力，再次提出债权债务协商申请。
面对DRAM产业环境再次恶化，景气波动超乎预期剧烈，国内DRAM厂决定转型，跨足利基型记忆体及代工市场。
南科即表示，今年底包括服务器用记忆体、消费型记忆体及行动式记忆体等利基型记忆体产品比重将逼近4成。
华亚科也指出，配合南科及美光 (Micron) 等2大股东需求，今年底非个人电脑 (PC)用记忆体产品比重将逾5成。
力晶近年也积极拓展面板驱动IC及电源管理晶片等代工业务，今年底代工业务比重将达5成水准。
茂德未来也将以自有品牌、代工及为尔必达代工等3大业务为主。其中，自有品牌业务长期将朝向非标准型DRAM产品发展，代工业务也将横跨记忆体及非记忆体领域。
对于DRAM厂纷纷转型，记忆体封测厂力成科技董事长蔡笃恭认为，在产能排挤下，将使标准型DRAM产能供应吃紧，有助支撑产品价格。
随着DRAM厂纷纷转进利基型记忆体，力成及另一记忆体封测厂华东科技一致看好行动记忆体市场需求将显着成长；力成今年第1季特地斥资20亿元扩充行动记忆体产能，以满足客户需求。
只是部分业者忧心，随着各DRAM厂大举转进利基型记忆体领域，行动记忆体市场恐将出现供过于求的危机。
