【大纪元2024年01月17日讯】（大纪元记者侯骏霖台湾台北报导）随着人工智慧（AI）、5G及智慧连网（AIoT）时代来临，能够快速处理大量资料的新世代记忆体将成为发展关键之一。工研院17日表示，与晶圆制造龙头台积电合作，携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体（SOT-MRAM），不但技术领先国际，功耗更能降低百倍之多。
工研院电光所所长张世杰表示，工研院与台积电继去年在全球半导体领域顶尖的“超大型积体技术及电路国际会议”共同发表论文后，今年更开发出兼具低功耗、1010奈秒（ns）高速工作等优点的SOT-MRAM单元，并结合电路设计完成记忆体内运算技术，让运算效能有飞跃式的提升。
他说，不但跳脱MRAM以记忆体为主的应用情境，双方将研发成果共同发表在IEDM 2023。SOT-MRAM在功耗方面，更只有STT-MRAM的百分之一，该技术未来可应用在高效能运算（HPC）、AI及车用晶片等。
工研院指出，这次藉由工研院与台积电双方共同合作，强强联手，发表重要研发成果，将引领产业加速跻身下世代记忆体技术领先群，维持台湾半导体的国际竞争优势。
工研院表示，在“智慧化致能技术”应用领域，也持续研究发展非挥发性记忆体创新技术，期望开拓新记忆体市场的新星，协助国内产业界，发展高价值的技术与产品。
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