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台积电在美败诉 禁开发嵌入式DRAM

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【大纪元4月28日讯】〔自由时报记者洪友芳/新竹报导〕台积电(2330 )被美商UniRAM指控不当使用其嵌入式DRAM(动态随机存取记忆体 )的营业秘密案,去年9月遭旧金山联邦地方法院初判,台积电须赔偿UniRAM共3,050万美元,台积电继续上诉,市场传出近期法院仍判台积电败诉,除了赔钱之外,台积电不得开发嵌入式DRAM。这项判决对台积电影响重大,内部近日指示停止对客户洽谈接单代工嵌入式DRAM产品。

台积电称不影响接单

台积电明(29 )日将召开第一季法说会,由总执行长蔡力行主持,预料这项官司判决将成为法人关切的焦点,包括赔偿金额如何在财报认列、对客户影响以及后续接单、冲击营运程度等等,将备受法人瞩目。

台积电公关窗口否认上诉败诉,认为所有程序还没有完成,仅是部分判决确定,但难以一时说清楚,不影响接单代工。

高阶绘图晶片内建嵌入式DRAM已成发展趋势,台积电近几年来投资不少人力与资金进行嵌入式DRAM的制程研发,且制程相当先进,也都属国际大客户。例如去年已采65奈米制程为绘图晶片大厂恩威迪亚(Nvidia )代工嵌入式DRAM内建在产品上;90奈米嵌入式DRAM已获微软Xbox360采用内建在绘图晶片上。美国法院这项终判对台积电现有客户的冲击程度,也颇受市场关注。

UniRAM成立已有十年之久,主要设计与授权高效能记忆体解决方案,透过技术授权收取权利金,2004年UniRAM曾与记忆体IP授权业者Mosys发生专利诉讼,双方后来达成和解,Mosys向UniRAM偿付240万美元。

台积电曾与Mosys有过合作关系,加上投入嵌入式DRAM代工已渐有所成,引起相关领域业者密切注意,UniRAM因此控告台积电不当使用其嵌入式DRAM的营业秘密,去年9月旧金山联邦地方法院初判,台积电须付3,050万美元赔偿UniRAM。

台积电与UniRAM对“营业秘密”官司案皆不透露内容,但台积电为了保护自身利益,积极进行初判后的救济,继续诉诸法律行动力争权益到底。针对台积电的上诉,日前美国法院已判决台积电败诉,除了赔3,050万美元之外,台积电并不得开发嵌入式DRAM。

台积电针对这项判决,还未对外宣布,但高层在上周已对内部指示停止对客户洽谈接单代工嵌入式DRAM产品,嵌入式DRAM团队已陷入等待后续安排的过渡时期。

上周外资券商摩根士丹利认为台积电投资价值已偏高,短期无利多刺激,调降台积电投资评等,目标价维持64.7元,这官司败诉属利空因素,台积电目标价恐遭到下修。台积电上周五收盘价为64.7元。

(http://www.dajiyuan.com)

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