【大纪元6月22日报导】(中央社记者张建中新竹二十二日电)动态随机存取记忆体(DRAM)合约价与现货价近期表现不同调，其中 6月下旬合约价续创今年新高纪录，现货价走势则较 5月底价格微幅走扬或下跌。台湾DRAM厂 6月业绩表现恐将因而不同调，南科与茂德 6月业绩表现可望优于现货产品比重偏高的力晶。
根据集邦科技调查，DDR2 1Gb颗粒合约均价继6 月上旬上涨3.01%后，6月下旬再上涨2.7%，达2.38美元价位，续创今年来新高纪录；6 月DRAM合约价平均上涨约6.8%，与国内业者原本规划6月合约价再调涨5%至10%相符，呈现淡季不淡表现。
反观DRAM现货价近期走势相对疲软，集邦科技调查，DDR2 1Gb eTT均价在 6月11日创下2.15美元高价后，目前均价已急遽滑落至2.01美元，仅较5月底的2美元微幅上涨0.5%。
至于市场主流的DDR2 1Gb品牌颗粒，目前现货均价更已滑落至2.11美元，较 5月底的2.13美元，微幅下滑0.94%。
业者表示，近期DRAM合约价与现货价走势不同调，可能与南韩三星电子大批DRAM模组遭个人电脑代工客户退货有关。
业者指出，三星电子是1Gb产品遭退货，退货数量高达8000万颗，虽然目前三星电子被退的货尚不确定如何处置，不过市场普遍揣测，三星将于现货市场处分概率高，恐将因而使得短期DRAM现货市场供给激增，进而影响现货价走软。
至于DRAM合约市场，在供给相对减少下，有助于减缓供过于求情况，进而使得DRAM合约价走势相对强劲，逆势持续走扬，展现 6月淡季不淡的局面。
随着6月合约价持续走扬，南科与茂德6月业绩可望同步持续攀升，同创今年单月营收新高纪录。至于力晶，由于公司DRAM产品以现货市场为大宗，此外，公司旗下瑞晶传出跳电意外，6 月业绩表现恐将因而遭受波及，相对南科及茂德疲弱。
即便短期DRAM现货与合约市场恐将因三星遭退货事件而呈现不同调局面，不过第三季时序已逐渐步入产业传统旺季，届时DRAM合约价与现货价可望同步走扬，并将有助于国内DRAM厂营运表现持续好转。
