【大纪元1月6日报导】(中央社记者张建中新竹6日电)DRAM 与NAND Flash现货价同步持续反弹，根据集邦科技调查，今年来DDR2 1GbeTT均价上涨5.74%；Flash市场主流的8Gb MLC均价也上涨9.72%。
随着供应商相继减产，动态随机存取记忆体(DRAM)与储存型快闪记忆体 (NAND Flash)现货价于去年12月下旬同步触底反弹。
集邦科技调查，DDR2 1Gb eTT均价已自低点0.59美元弹升至目前的0.92美元，反弹幅度达55.9%；DDR21Gb品牌颗粒现货均价也自0.58美元弹升至0.78美元，上涨34.5%。
Flash部分，市场主流的8Gb现货均价自低点的1.03美元弹升至目前的1.58美元，反弹幅度达53.4%；16Gb现货均价自1.64美元反弹至2.31美元，涨幅40.8%；32Gb现货均价也反弹16.1%。
尽管DRAM现货价大幅反弹，不过目前价格仍低于DRAM厂现金成本，因此厂商仍将持续减产，业者预期，第1季下旬可望进一步回升至1美元以上合理价位。
Flash方面，由于制造厂减产效应也将持续发酵，有助于支撑市场价格持稳。
