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半導體
【大紀元10月7日訊】（中央社記者何易霖新竹七日電）力晶半導體今天在新竹科學工業園區舉行第 2座12吋晶圓廠動土典禮，預計斥資新台幣 600億元，主體結構將於2004年完工，並於2005年第3季正式量產。
力晶董事長黃崇仁表示，力晶在第一座12吋晶圓廠（12A廠）朝3萬5000片最大月產能挺進的同時，即著手興建滿載月產能可達4萬片的12B廠，突顯出力晶不僅能持續提昇製程技術，更可快速掌握量產規模經濟效益的優勢。未來力晶的兩座12吋晶圓廠將專注在最先進DRAM產品製造，原有的 8吋廠則全線轉為利基型晶圓代工服務。
力晶總經理謝再居指出，配合長期技術合作夥伴日商爾必達（Elpida），未來力晶12B廠將發展0.1微米以下尖端製程技術，除製造最新世代的DRAM產品外，也計畫導入更多元化的記憶體產品線。
謝再居表示，目前力晶 12A廠的製程技術已和世界大廠同步以0.13微米量產DRAM，第4季逐步轉入 0.11微米量產，並預計於2004年第2季導入Elpida的0.1微米製程試產，預估在第 2座12吋廠加入營運後，力晶將能更進一步推升產能與技術層次。
力晶預計以1年時間興建擁有14000平方米潔淨室的12B廠，隨後安裝生產設備，並於2005年第3季正式量產。黃崇仁表示，以尖端的半導體科技與生產設施，在未來3年內，力晶有信心成為世界DRAM產業前3強。
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