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【大纪元10月7日讯】（中央社记者何易霖新竹七日电）力晶半导体今天在新竹科学工业园区举行第 2座12吋晶圆厂动土典礼，预计斥资新台币 600亿元，主体结构将于2004年完工，并于2005年第3季正式量产。
力晶董事长黄崇仁表示，力晶在第一座12吋晶圆厂（12A厂）朝3万5000片最大月产能挺进的同时，即着手兴建满载月产能可达4万片的12B厂，突显出力晶不仅能持续提升制程技术，更可快速掌握量产规模经济效益的优势。未来力晶的两座12吋晶圆厂将专注在最先进DRAM产品制造，原有的 8吋厂则全线转为利基型晶圆代工服务。
力晶总经理谢再居指出，配合长期技术合作伙伴日商尔必达（Elpida），未来力晶12B厂将发展0.1微米以下尖端制程技术，除制造最新世代的DRAM产品外，也计划导入更多元化的记忆体产品线。
谢再居表示，目前力晶 12A厂的制程技术已和世界大厂同步以0.13微米量产DRAM，第4季逐步转入 0.11微米量产，并预计于2004年第2季导入Elpida的0.1微米制程试产，预估在第 2座12吋厂加入营运后，力晶将能更进一步推升产能与技术层次。
力晶预计以1年时间兴建拥有14000平方米洁净室的12B厂，随后安装生产设备，并于2005年第3季正式量产。黄崇仁表示，以尖端的半导体科技与生产设施，在未来3年内，力晶有信心成为世界DRAM产业前3强。
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