【大纪元2017年01月09日讯】（大纪元记者陈懿胜台湾台北报导）针对记忆体市场，研调机构IC Insights表示，动态随机存取记忆体（DRAM）及储存型快闪记忆体（NAND Flash），在未来5年年均复合成长率将达7.3%，产值也会扩增至1,099亿美元（约新台币3兆5,488亿元）。
IC Insights表示，随着智慧手机等行动装置对低功耗记忆体需求激增，DRAM与NAND Flash记忆体成长也随之提高，包含DRAM、NAND Flash、类比与微组件（microcomponents）IC等4种类型的记忆体市场，2017~2021年复合成长率将达7.3%，2021年可望突破千亿美元大关，将达1,099亿美元。
IC Insights也指出，在5年的预测区间内，以记忆体成长力道最为强劲，类比IC以5.2%次之，微组件为4.4%，至于台积电擅长代工的逻辑IC，复合成长率将约2.9%，可能为成长力道最弱的IC市场。
责任编辑：吕美琪
