【大纪元2023年07月19日讯】（大纪元记者袁世钢台湾高雄报导）第三类（次世代）半导体材料“碳化硅（SiC）”是国家重要战略物资，但晶体生长技术门槛较高，而中山大学晶体研究中心已成功生长出直径6吋的碳化硅晶体块材，并于今年7月与业界签订5年5千万元的技术移转案，提升台湾国际竞争力。
已发展数十年的“碳化硅”具备低耗损、高功率、低杂讯、散热佳等不可取代的特性。中山大学晶体研究中心主任周明奇指出，碳化硅晶体是国家重要战略物资，可多元应用于电动车、光电、卫星通讯、国防、生医等领域，但晶体生长技术门槛高，长晶速度与稳定品质是关键，而该中心已成功生长出6吋导电型（n-type）4H碳化硅单晶体。
周明奇表示，团队在研发过程中结合中钢、中钢碳素等国内企业的专业，不仅在石墨隔热材料、坩埚（存放碳化硅原物料的容器）及晶体生长设备等领域助攻MIT产业升级，更于今年7月起更技转台湾应用晶体公司及其所属集团，未来5年双方将在6吋、8吋大尺寸的导电型及半绝缘型4H、6H碳化硅单晶等领域携手合作。
中山大学晶体研究中心除了掌握第三类半导体材料碳化硅晶体的优势外，周明奇也透露，将同步研发第四类半导体“氧化镓（Ga2O3）”的单晶块材；而在硬体方面，除了目前现有的2台6吋长晶炉，今年9月将再添购1台6吋、2台8吋的长晶炉。下个阶段也有机会与化工专业领域的企业合作，着力于半导体产业链最上游的稀土原物料纯化等。◇
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