【大纪元11月10日报导】(中央社记者张良知台北十日电)DRAM 行情持续不振，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）报价维持 1美元以下价位，并一度触及历史低点，加上11月合约价持续走跌，记忆体模组业者库存压力扩大，业者期待DRAM大厂减产，才能使价格出现反弹，耶诞节需求也被业者寄予厚望。
根据集邦科技（DRAMeX-change）周五报价，512Mb DDRII有效测试颗粒报价持续走跌，均价0.96美元，最低点并一度触及前波历史低点0.95美元。累计第四季以来价格疲弱状况未见改善，价格跌幅逾11%。
以国内DRAM厂今年积极扩产的情况来看，DRAM厂力晶、南科、华亚科及茂德今年共投入新台币2300亿元以上扩产，并将制程技术推进至70奈米；各厂今年DRAM位元产出同步大增逾65%，其中华亚科达110%增幅最大。
在国际大厂方面，南韩海力士今年位元产出也可望较去年倍增，业者估计今年国内外大厂DRAM位元产出，将较去年大增70%至80%水准。在Vista需求未如预期于第三季显现下，DRAM市场明显供过于求，价格频频破底，主流产品DDR2 512Mb ETT价格由去年底5.5美元，跌到目前不到 1美元，跌幅逾8成。
除了DRAM厂今年第二、三季业绩明显受到影响外，部分记忆体模组厂亦受到误判行情影响而业绩走低，其中指标性厂商威刚科技第三季每股税后获利仅0.99元，单季获利明显不如历史传统旺季水准。
威刚表示，由于错判行情，今年第三季DRAM现货市场旺季不旺，走势不如内部预期，由于 9月下旬DRAM价格再跌1成，严重侵蚀DRAM产品毛利率，加上提列库存跌价损失约2.21亿元，使得第三季单季获利不如历史传统旺季。
至于创见因NAND Flash比重较高，在苹果iPhone及韩国厂商8月一度发生跳电事件带动价格急涨下，第三季税前盈余11.84亿元，创下单季新高，以33.79亿元股本计算，每股盈余3.5元；前3季营收289.93亿元，税前盈余30.67亿元，年增率54.35%，每股盈余9.08元，获利高居模组厂之冠。
不过，由于苹果对NAND Flash需求高峰已过，NANDFlash 价格自8月高峰亦呈现下滑，加上DRAM跌破1美元关卡，并触及0.95美元历史低点，记忆体模组厂商的库存压力大增。
随着产品价格大跌，DRAM厂营运普遍面临亏损窘境，包括力晶、茂德及南科三家国内DRAM大厂今年第二季即合计亏损逾百亿元，虽然第三季亏损金额缩小，但各DRAM厂已开始对2008年扩产计划有所节制。
依法人说明会资料显示，包括南科及华亚科2008年资本支出将同步降至 300亿元，其中南科减少幅度高达5成，华亚科减少幅度约33%；茂德初步规划明年资本支出约 8亿美元，也将较今年减低57.3%。
威刚董事长陈立白近二个月来已多次反映期望DRAM国际大厂减产，否则DRAM价格反弹机会不大，若上游开始减产，最慢在明年第一季末前可出现反弹。
整体而言，在记忆体价格疲软下，包括制造厂商及模组厂均承受不少跌价及库存压力，除了制造厂商明年已规划降低资本支出外，模组厂商也大声疾呼，期待国际大厂减产；此外，模组厂商也对耶诞节需求抱持期待，等待价格反弹降低库存压力。
