【大紀元11月10日報導】(中央社記者張良知台北十日電)DRAM 行情持續不振，512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）報價維持 1美元以下價位，並一度觸及歷史低點，加上11月合約價持續走跌，記憶體模組業者庫存壓力擴大，業者期待DRAM大廠減產，才能使價格出現反彈，耶誕節需求也被業者寄予厚望。
根據集邦科技（DRAMeX-change）週五報價，512Mb DDRII有效測試顆粒報價持續走跌，均價0.96美元，最低點並一度觸及前波歷史低點0.95美元。累計第四季以來價格疲弱狀況未見改善，價格跌幅逾11%。
以國內DRAM廠今年積極擴產的情況來看，DRAM廠力晶、南科、華亞科及茂德今年共投入新台幣2300億元以上擴產，並將製程技術推進至70奈米；各廠今年DRAM位元產出同步大增逾65%，其中華亞科達110%增幅最大。
在國際大廠方面，南韓海力士今年位元產出也可望較去年倍增，業者估計今年國內外大廠DRAM位元產出，將較去年大增70%至80%水準。在Vista需求未如預期於第三季顯現下，DRAM市場明顯供過於求，價格頻頻破底，主流產品DDR2 512Mb ETT價格由去年底5.5美元，跌到目前不到 1美元，跌幅逾8成。
除了DRAM廠今年第二、三季業績明顯受到影響外，部分記憶體模組廠亦受到誤判行情影響而業績走低，其中指標性廠商威剛科技第三季每股稅後獲利僅0.99元，單季獲利明顯不如歷史傳統旺季水準。
威剛表示，由於錯判行情，今年第三季DRAM現貨市場旺季不旺，走勢不如內部預期，由於 9月下旬DRAM價格再跌1成，嚴重侵蝕DRAM產品毛利率，加上提列庫存跌價損失約2.21億元，使得第三季單季獲利不如歷史傳統旺季。
至於創見因NAND Flash比重較高，在蘋果iPhone及韓國廠商8月一度發生跳電事件帶動價格急漲下，第三季稅前盈餘11.84億元，創下單季新高，以33.79億元股本計算，每股盈餘3.5元；前3季營收289.93億元，稅前盈餘30.67億元，年增率54.35%，每股盈餘9.08元，獲利高居模組廠之冠。
不過，由於蘋果對NAND Flash需求高峰已過，NANDFlash 價格自8月高峰亦呈現下滑，加上DRAM跌破1美元關卡，並觸及0.95美元歷史低點，記憶體模組廠商的庫存壓力大增。
隨著產品價格大跌，DRAM廠營運普遍面臨虧損窘境，包括力晶、茂德及南科三家國內DRAM大廠今年第二季即合計虧損逾百億元，雖然第三季虧損金額縮小，但各DRAM廠已開始對2008年擴產計畫有所節制。
依法人說明會資料顯示，包括南科及華亞科2008年資本支出將同步降至 300億元，其中南科減少幅度高達5成，華亞科減少幅度約33%；茂德初步規劃明年資本支出約 8億美元，也將較今年減低57.3%。
威剛董事長陳立白近二個月來已多次反映期望DRAM國際大廠減產，否則DRAM價格反彈機會不大，若上游開始減產，最慢在明年第一季末前可出現反彈。
整體而言，在記憶體價格疲軟下，包括製造廠商及模組廠均承受不少跌價及庫存壓力，除了製造廠商明年已規劃降低資本支出外，模組廠商也大聲疾呼，期待國際大廠減產；此外，模組廠商也對耶誕節需求抱持期待，等待價格反彈降低庫存壓力。
