【大纪元5月1日报导】（中央社记者张建中新竹一日电）今年来DRAM产品价格急遽滑落，目前已逼近厂商生产成本，推进制程技术、降低成本，成为各DRAM厂营运当务之急；国内DRAM厂以力晶、茂德制程技术推进速度最快，力晶70奈米512MbDRAM将于第二季量产，茂德70奈米也将于4月大量产。
根据集邦科技调查，今年来DDR2现货价跌幅高达6成；包括力晶及茂德等DRAM业者证实，目前DRAM 价格已逼近公司生产成本，4月业绩恐将落在损益两平边缘。
力晶副总经理暨发言人谭仲民曾表示，目前DRAM价格对于各DRAM制造厂将产生很大压力，今年应是全球DRAM产业优胜劣败关键的一年。
由于制程技术推进有助于DRAM制造厂降低成本，谭仲民即指出，70奈米制程材料成本增加有限，DRAM位元产出却可望较90奈米制程增加达55%。茂德董事长陈民良也说，70奈米制程单颗成本效益逾3成，因此推进70奈米制程成为当前各DRAM厂营运重点。
集邦科技也表示，即便DRAM市场可望于第二季落底，不过70奈米制程技术良率及生产比重高低，将是攸关各DRAM制造厂下半年营运胜败的一大关键。
观察目前国内各DRAM厂制程技术推进情况，以茂德与力晶进度最快，其中茂德70奈米512Mb DDR2已于3月完成内部验证作业，预计4月投片1.6万片，至今年底公司中科三厂全产能月产6.5万片，将全数转进70奈米，另外公司中科四厂第四季也将以70奈米制程切入量产。
力晶目前70奈米制程试产良率已达8成以上水准，预计第二季70奈米512Mb DRAM将投入量产，70奈米1GbDRAM将于下半年投入量产。
华亚科为符合大股东兼大客户奇梦达现行产品需求，公司决定下半年先行导入80奈米沟槽式制程技术，预计第四季进一步推进至70奈米制程；另外，南科首座自建12吋厂于今年下半年完工后，也将直接以70奈米制程切入生产，制程推进速度相对落后。
