瑞晶電子將引進尖端設備 增加DRAM產量

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【大紀元1月5日報導】(中央社記者張芳明東京5日專電)「日本經濟新聞」今天報導,日本半導體大廠爾必達的台灣子公司瑞晶電子,將在今年度引進400億日圓(新台幣138億元)規模的尖端生產設備,以倍增晶片(DRAM)產量。

報導指出,瑞晶引進尖端生產設備後,把現行生產線65奈米的製程全面改成45奈米製程,爾必達並擬對廣島縣的主力工廠也增資600億日圓,使得兩者的總產量增為現在的1.6倍,以趕上南韓三星電子。

爾必達和台灣的力晶半導體合資設立瑞晶,前者出資比例是64%。

日經報導,400億日圓的設備投資,擬由瑞晶獨自以銀行貸款及股票上市等方式籌措。

瑞晶目前月產7萬5000片直徑300毫米的基板(Wafer),每片基板經由45奈米製程取得的晶片是65奈米製程的2倍以上,大幅提高晶片的產量。

爾必達去年10月研發完成45奈米製程技術,12月起已在廣島工廠量產。

此外,爾必達並在去年11月和台灣的茂德科技及華邦電子等攜手合作,加強合作集團的生產體制,以對抗南韓勢力。

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