【大紀元12月15日訊】(大紀元記者宋碧龍台灣台北報導) 國研院奈米元件實驗室（NDL）今天宣布，領先全球開發出第一個16奈米的SRAM單位晶胞，突破世界技術瓶頸，一舉將奈米領域帶領到16奈米全新世代，可讓電腦或手機等隨身電子設備變得更輕薄短小、省電外，也讓台灣的「兩兆雙星」半導體產業，在未來5到10年後能有領先全球的優勢地位。
16奈米 引領全球進入新世代
NDL今天宣布，開發出全球第一個16奈米世代元件（靜態隨機記憶體，SRAM），元件之內有 6個電晶體，相當1平方公分內有超過150億顆電晶體，約是目前45奈米的10倍。這可使未來電子設備更輕薄，例如NB重量將僅有0.5公斤。
國研院昨上午舉行「16奈米世代新元件技術發表會」，由奈米元件實驗室主任楊富量宣布：台灣領先全球進入16奈米新世代！此成果已在12月9日在美國巴爾地摩舉行最重要的國際會議「IEDM」正式發表，並獲選為著名應用物理期刊《Applied Physics Letters》今年10月5日出刋的封面論文。
楊富量表示，半導體產業是台灣最重要產業，在元件技術上，目前以45奈米元件世代為主流，明年即將邁入32奈米製程試產，22奈米也將展開先期研究，NDL已進入到更前瞻性的16奈米元件製程，開發出全球第一個16奈米靜態隨機存取記憶體 (SRAM)的單位晶胞。
根留台灣 培育人才
他指出，靠著16奈米這關鍵技術，未來可以減少台灣每年支付國外約新台幣300億元半導體技術的授權費用，且為台灣創造更多就業機會，至少可培育1萬位高科技人士研發出更多新的創意和研發，才能通過16奈米以下世代的嚴酷考驗。
楊富量認為，除了輕薄之外，未來電子設備儲存量會更多，價格也會降到十分之一，例如目前流行的衛星導航產品，記憶體容量約是10GB，未來可擴充至100GB，可以容納全球地圖，走到哪帶到哪；或是硬碟可放100部電影，讓資訊化產品更貼近便利。
站在巨人肩膀上 同時前進
國研院成功開發出16奈米SRAM新元件，主要是創新3項關鍵技術，包括「奈米噴印成像技術」、「320度低溫微波活化」及「N型鍺元件研究」；相較一般傳統微影光學成像技術，完全不需使用到光阻及光罩，可省下每套新台幣2億元的光罩費用。
今年電子龍頭產業台積電引進新束直寫微影成像，雖不需光罩，但仍受光阻限制，這種電子束目前技術只到百條，如能結合NDL新製程技術，可讓製程進入到16奈米，未來2－3年隨著電子束技術進步，NDL新製程技術也將隨著進步，屆時可達上萬條同時進行，等於是站在巨人肩膀上同時前進。
在場業界人士認為，未來若走上技術量產，有機會吸引國外廠商向台灣購買技術授權。
《小辭典》
一、1米（即1公尺）=1000毫米
1毫米=1000微米
1微米=1000奈米
二、硬幣厚度約兩毫米
頭髮直徑約50微米
1奈米約等於3-4個金屬原子 (http://www.dajiyuan.com)
