【大纪元12月13日报导】（中央社记者张建中新竹13日电）台湾DRAM明年市况看俏，业者预期 1Gb颗粒价格可望维持在 2美元以上水准，制造厂若以50奈米制程生产，净利率可望达 25%，应可超越下游模组厂，转变为“上肥下瘦”局面。
动态随机存取记忆体（DRAM）及储存型快闪记忆体（NAND Flash）产品价格纷纷于去年底触底弹升；根据集邦科技调查，DDR2 1Gb eTT（有效测试颗粒）均价自低点0.59美元，反弹至2.62美元，大涨3.44倍。
NAND Flash方面，市场主流的16Gb MLC颗粒现货均价，也自低点1.64美元反弹至5.99美元，上涨2.65倍。
随着记忆体产品价格大涨，记忆体模组厂受惠于低价库存效益显现，今年营运同步好转，包括创见资讯、威刚科技及劲永国际等模组厂前 3季产品毛利率同步跳升至两位数水准。
其中，创见及威刚前 3季还同时缴出每股纯益逾新台币 7元的亮丽成绩单；劲永前 3季每股纯益也达2.84元。
反观台湾DRAM制造厂，由于生产规模缩小，加上产品价格直至第 4季才突破生产成本，包括南科、华亚科、力晶及茂德等今年前 3季依然无法摆脱毛损的窘境。
今年DRAM业俨然是“下肥上瘦”，业者预期，明年局面应会改观，DRAM制造厂营运可望显着好转，不仅转盈有望，净利率还有机会超越下游模组厂，转变为“上肥下瘦”。
业者表示，DRAM价格11月以来剧烈回档，DDR2 1GbeTT均价一度跌破 2美元关卡，目前维持在2.3美元左右震荡；预期明年第 1季淡季效应影响下，恐将再度下探2 美元。
明年第 2季DRAM价格又可望回升至2.2至2.5美元水准，业者预期，明年 1Gb颗粒价格应可维持在 2美元以上，制造厂若以50奈米制程生产，每颗成本将约 1.5美元，净利率逾 25%。
明年DRAM价格走势预料将趋于平稳，模组厂低价库存效益势将大打折扣，进而影响模组厂毛利率恐较今年滑落。
不过，业者指出，在没有价格剧烈波动风险下，模组厂营运规模若能有效扩大，绝对获利仍不排除有机会持平或较今年再成长。
