【大纪元4月5日报导】(中央社记者张建中新竹5日电)动态随机存取记忆体(DRAM)制造厂与记忆体模组第1季 (Q1)获利表现将不同调；其中，DRAM厂第1季恐将持续亏损；记忆体模组厂获利则可望显着好转。
尽管DRAM产业经历长达2年不景气，全球DRAM厂纷纷大幅度减产，供给锐减，只是受库存情况严重影响，DRAM价格始终维持在制造厂现金成本下震荡。
根据集邦科技调查，DDR2 1Gb eTT(有效测试颗粒)于1、2月曾因奇梦达声请破产保护，价格一度飙升至1.21美元，较去年底的0.87美元大涨近4成，但仍低于1.5美元制造厂现金成本。
另外，因终端市场需求依然疲软，库存情况严重，DDR2 1Gb eTT价格于2、3月再度回档，甚至一度创下0.78美元今年新低价；目前维持在1美元左右震荡。
受产品价格依然低迷不振冲击，美光第2季 (2008年12月5日至2009年3月5日)亏损7.51亿美元，每股亏损0.97美元，国内包括力晶等DRAM厂第1季也将持续亏损，并持续减产，来降低亏损及资金流出。
即便力晶及海力士等DRAM厂预期，DRAM产业景气谷底已过，其中，力晶甚至看好，下半年将出现缺货情况；只是近期DRAM价格于1美元左右震荡，法人预料DRAM厂第2季仍将难以摆脱亏损窘境。
反观记忆体模组厂，除了DRAM价格不再暴跌外，储存型快闪记忆体 (NAND Flash)价格高涨，营运可望随着显着好转。
根据集邦科技调查，8Gb MLC价格自去年底的1.44美元，一度暴涨至3.22美元，涨幅高达1.23倍；目前8Gb MLC价格仍维持在3.13美元高档水位。
劲永受惠于Flash低价库存贡献，1、2月已顺利转亏为盈，前2月税后净利达新台币1.57亿元，每股纯益约0.62元，远比去年第4季每股亏损2.91元佳，预期第1季获利可望创下近10季来新高纪录。
威刚也预期，第1季可望转亏为盈。创见预期，第1季获利可望较去年第4季成长2位数。
记忆体控制晶片厂群联电子也看好第1季获利，可望优于去年第4季的税后净利1.74亿元，法人预估，群联第1季每股纯益可望挑战3元水准。
模组厂表示，包括DRAM与Flash供应商在经历长期营运亏损后，纷纷节制产出，以改善亏损情况，预料将有助于DRAM及Flash产品价格持稳，不致出现暴跌情况，模组厂应可维持稳定获利状态。
