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【大紀元6月21日訊】
據計算机世界网報道﹐硅半導體和化合物半導體在原子的排列間隔、熱膨脹系數及界面的電子數量等方面是各不相同的，因此在把這兩种物質融合在一起時，原子之間會產生縫隙，難以實現它們的一體化。据米津教授公布的材料說，為使這兩种不同的半導體實現晶體融合，他們采取了以下方法：一、在磷化鎵里添加氮，以調整它的原子排列；二、在硅基板上构筑由失真量子阱、導波層和金屬包層构成的量子阱結构；三、用硅層夾住磷化鎵層。
半導體元件大致分為使用硅晶體的電子元件、使用化合物半導體的光元件和微波元件三种。米津教授研究成功的這种新的半導體材料，有可能把上述三种半導體元件制作在一塊芯片上，使之能發揮出三种元件的功能。此外，它還能減少制造化合物半導體所不可缺少的砷、磷等有毒物質的使用量，有益于減少環境負荷。 (http://www.dajiyuan.com)
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