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【大纪元6月21日讯】
据计算机世界网报道﹐硅半导体和化合物半导体在原子的排列间隔、热膨胀系数及界面的电子数量等方面是各不相同的，因此在把这两种物质融合在一起时，原子之间会产生缝隙，难以实现它们的一体化。据米津教授公布的材料说，为使这两种不同的半导体实现晶体融合，他们采取了以下方法：一、在磷化镓里添加氮，以调整它的原子排列；二、在硅基板上构筑由失真量子阱、导波层和金属包层构成的量子阱结构；三、用硅层夹住磷化镓层。
半导体元件大致分为使用硅晶体的电子元件、使用化合物半导体的光元件和微波元件三种。米津教授研究成功的这种新的半导体材料，有可能把上述三种半导体元件制作在一块芯片上，使之能发挥出三种元件的功能。此外，它还能减少制造化合物半导体所不可缺少的砷、磷等有毒物质的使用量，有益于减少环境负荷。 (http://www.dajiyuan.com)
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