【大纪元11月23日报导】(中央社记者张建中新竹23日电)研调机构集邦科技预期，2013年储存型快闪记忆体(NAND Flash)产出成长将较预期小，较今年增加约41%。
集邦科技表示，2013年NAND Flash需求能见度低，多数供应商暂缓产能扩增计划；其中，东芝(Toshiba)甚至将弹性减产3成的政策延续至2013年第2季，后续再视市场需求决定是否恢复全产能生产。
集邦指出，2013年NAND Flash产出增加，将主要仰赖供应商制程转换。
多数厂商正积极自25奈米世代制程推进至20奈米世代制程，集邦表示，但良率问题恐将影响制程推进进度，预期2013年NAND Flash产出成长率约41%，低于原预期的45%。
