【大纪元11月17日报导】（中央社记者杨淑闵台北17日电）台湾清大助理教授阙郁伦今天在国科会发表与国际团队的研发新成果，将三五族元件的光电性质整合到硅电子元件上，让现有32奈米半导体制程进入22奈米制程效果，已发表于自然期刊。
国科会今天召开“整合材料科学技术改善半导体制程重大突破”记者会，由阙郁伦发表11日已刊于自然（Nature）期刊的相关研究成果。
这项研究由美国加州柏克莱分校电子工程与电脑科学系副教授Ali Javey团队、美国新墨西哥大学电子与电脑工程系教授Sanjay Krishna团队，以及阙郁伦团队共同合作进行。
阙郁伦说，为克服半导体制程技术微缩低于22奈米的问题，此研究利用磊晶转层技术，成功将三五族元件的光电性质，转移到硅电子元件上，透过光电与电子元件混合，可让现有半导体生产技术，在低成本下，推向22奈米效果。
过程中，藉由黄光微影技术蚀刻出三五族化合物半导体奈米带，以选择性蚀刻将底部基材去除，然后利用软塑胶介面简单接触压印，成功转移三五族化合物其中一种化合物砷化铟（InAs）于二氧化硅的硅基材上，也实现了所谓化合物半导体材料绝缘层披覆技术（XOI ）。
他说，此项制程的优点包含不需任何接合处理、增加基材使用率、增加元件操作速度、减低元件功率消耗、元件尺寸奈米化、克服化合物半导体整合于现阶段硅制程技术的问题。
他并说，此研究的延伸研究，未来将研发光传输，而非电子传输的模式，因为光的速度比电子快许多，且不会产生热，未来运算速度会更快，储存容量也更多，将有机会实现量子电脑的可能。
