【大纪元3月25日报导】（中央社记者张建中新竹25日电）南韩记忆体大厂三星京畿道器兴 (Giheung)厂区24日传出停电意外，激励今天包括标准型DRAM、利基型DRAM及NAND Flash等记忆体产品现货价全面大涨。
根据集邦科技调查，标准型动态随机存取记忆体(DRAM)的DDR3 1Gb品牌颗粒现货均价今天上涨2.46%，达3.08美元；DDR2 1Gb eTT(有效测试颗粒)均价也一举突破3美元关卡，达3.07美元，上涨3.43%。
利基型DRAM方面，DDR 512Mb颗粒现货均价达2.16美元，更大涨7.34%；DDR 256Mb颗粒现货均价为1.05美元，也上涨2.54%。
储存型快闪记忆体 (NAND Flash)部分，市场主流的16Gb MLC及32Gb MLC均价分别攀升至4.08美元及7.36美元，上涨3.34%及1.35%。
DRAM业者表示，三星厂停电 1小时，对于产出影响应有限，因此今天记忆体产品价格走扬无法确定是因三星厂停电所带动；目前市场需求依然强劲，应是激励产品价格走高的主因之一。
Flsah 相关业者则指出，尽管三星停电实际所受冲击程度仍不明朗，不过，在目前市场需求热络下，三星传出停电意外，确实对于价格走势具正面效果。
