【大纪元2015年07月29日讯】（大纪元记者李洋报导）储存晶片（记忆体）技术获得新的突破。英特尔（Intel）与美光科技公司（Micron Technology），29日联合发布名为“3D Xpoint”的记忆体晶片，速度比现在的“NAND Flash”快1,000倍。这有可能对运算装置、服务与应用带来划时代的变革。这项新技术将提高智能手机速度。
彭博社报导，总公司都设在美国的英特尔与美光表示，全新的3D XPoint 技术是迄今储存晶片技术一个重大的突破，同时也是1989年NAND Flash 推出以来，开启全新类别的非挥发性记忆体（NVM）。
经历了多年研发的3D XPoint新技术，完全改变了储存晶片的架构。整个技术以垂直导体连结1280亿个高密度规格记忆体储存单元，并堆叠出来的交叉式阵列结构，它除了比现有的NAND Flash要快上1,000倍外，同时在耐用度部分也增加了1,000倍；而且也因为以堆叠式设计，在密度方面也比传统记忆体高出10 倍。
在这个新的技术下，过去经常发生因储存晶片（或硬碟）导致延缓情况将逐渐获得改善。以这个技术，初期每个晶粒容量可达128Gb(16GB)，而未来一代3D XPoint可以增加储存器层数，来提高系统容量。3D XPoint技术也会提升终端使用者对PC的体验。
英特尔副总克罗希（Rob Crooke）表示，数十年来，业界都在寻找降低处理器与资料间滞后的方法，容许更快速的分析。“这种新型的非挥发性记忆体达到这个目标，对解决记忆体与储存器间问题，带来突破性的变革”。
英特尔与美光联合发布的新闻稿称，利用这个储存晶片技术的产品会很快量产，但是对市场来说，其仍是新颖的，价格可能要比NAND Flash 昂贵得多，毕竟NAND Flash的SSD与传统磁片组成的硬碟，仍旧会有自己的市场定位与价值，因此3D XPoint技术要普及仍然要一段时间。
市场分析，RAM是否会被3D XPoint取代，短时间来看不太可能，毕竟大部分情况下，RAM的速度会比它要快许多。
不过，从整体规划来看，该项技术可以首先导入大型企业，然后在改良技术之下逐渐普及，包括运用到智能手机上。也许消费者2016年开始会在市场见到这项新技术的产品。
责任编辑：林琮文
