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【大纪元8月14日讯】继0.13微米工艺后，英特尔（Intel）今天宣布工艺跨入90奈米领域，成为全球最先进的晶片工艺，预计明年有3座12吋晶圆厂采用90奈米工艺，而第一个采用新工艺的商用晶片将是Prescott 的处理器，可望明年下半年上市。
中央社报道﹐英特尔资深副总裁暨技术与制造事业群总经理周尚林表示，当业界才正开始逐渐将130奈米（0.13微米）工艺运用在 8吋晶圆的同时，英特尔已率先在12吋晶圆上采用90奈米技术，二者的结合将使英特尔能以更低的生产成本制造更优良的产品。
英特尔指出，新的90奈米（1奈米等于1/10亿公尺）工艺结合高效能、低耗电电晶体、超限度硅晶（strained silicon）、高速铜导线及新型低介电材料等技术。这也是业界首度将这些技术，整合至单一生产工艺。
周尚林强调，十几年来英特尔一直以更快的速率证明摩尔定律的进展，每隔两年便推出新世代的工艺。90奈米工艺是继0.13微米工艺后的新一代技术，英特尔现已将它运用在微处理器的大量生产上。
目前，英特尔已能用90奈米工艺制造长度仅50奈米的电晶体，而英特尔Pentium 4处理器内部最先进的电晶体长度还有60奈米，这项新工艺制造的电晶体，可成为体积最小、效能最高的量产CMOS（互补式金属氧化物半导体）电晶体。
英特尔已于2 月使用90奈米工艺技术制造全球最高容量的SRAM记忆体晶片，容量达52MB（5200万位元），这些全功能在约一个指甲大小的109微米空间中，装入3亿3000万个电晶体。
此外，英特尔指出，这些晶片也领先业界SRAM单元尺寸，面积仅1 平方微米，一个红血球细胞还是SRAM单元的100 倍大。小巧的SRAM单为能让处理器内建容量更大的资料快取，并借此提升运算效能。
英特尔表示，这些先进半导体装置将在英特尔位于奥勒冈州Hillsboro市的12吋研发晶圆厂（D1C厂）进行生产，DIC 厂正是这项新工艺的诞生地。明年量产后，英特尔将成为全球第一家以90奈米工艺量产的厂商。(http://www.dajiyuan.com)
