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【大紀元8月14日訊】繼0.13微米工藝後，英特爾（Intel）今天宣佈工藝跨入90奈米領域，成為全球最先進的晶片工藝，預計明年有3座12吋晶圓廠採用90奈米工藝，而第一個採用新工藝的商用晶片將是Prescott 的處理器，可望明年下半年上市。
中央社報道﹐英特爾資深副總裁暨技術與製造事業群總經理周尚林表示，當業界才正開始逐漸將130奈米（0.13微米）工藝運用在 8吋晶圓的同時，英特爾已率先在12吋晶圓上採用90奈米技術，二者的結合將使英特爾能以更低的生產成本製造更優良的產品。
英特爾指出，新的90奈米（1奈米等於1/10億公尺）工藝結合高效能、低耗電電晶體、超限度矽晶（strained silicon）、高速銅導線及新型低介電材料等技術。這也是業界首度將這些技術，整合至單一生產工藝。
周尚林強調，十幾年來英特爾一直以更快的速率證明摩爾定律的進展，每隔兩年便推出新世代的工藝。90奈米工藝是繼0.13微米工藝後的新一代技術，英特爾現已將它運用在微處理器的大量生產上。
目前，英特爾已能用90奈米工藝製造長度僅50奈米的電晶體，而英特爾Pentium 4處理器內部最先進的電晶體長度還有60奈米，這項新工藝製造的電晶體，可成為體積最小、效能最高的量產CMOS（互補式金屬氧化物半導體）電晶體。
英特爾已於2 月使用90奈米工藝技術製造全球最高容量的SRAM記憶體晶片，容量達52MB（5200萬位元），這些全功能在約一個指甲大小的109微米空間中，裝入3億3000萬個電晶體。
此外，英特爾指出，這些晶片也領先業界SRAM單元尺寸，面積僅1 平方微米，一個紅血球細胞還是SRAM單元的100 倍大。小巧的SRAM單為能讓處理器內建容量更大的資料快取，並藉此提昇運算效能。
英特爾表示，這些先進半導體裝置將在英特爾位於奧勒岡州Hillsboro市的12吋研發晶圓廠（D1C廠）進行生產，DIC 廠正是這項新工藝的誕生地。明年量產後，英特爾將成為全球第一家以90奈米工藝量產的廠商。(http://www.dajiyuan.com)
