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【大纪元4月9日讯】据中央社4月9日报导，国际封测大厂日月光半导体今天宣布，率先研发成功8吋晶圆电镀技术，并开始进入试产阶段，预估第一阶段每月生产约 10000片。
随着覆晶封装在2002年开始显着成长，未来大部分0.13微米以下先进制程产出的晶片都会采用覆晶封装的趋势，凸块技术的需求量将相应不断攀升。据美国知名半导体封装顾问公司TechSearch预测显示，使用电镀凸块技术的8吋晶圆产能会从今年的641万片增加到2005年时的1268.8万片，市场成长达2倍。
日月光表示，目前晶圆凸块制程分为印刷技术和电镀技术，两者技术各擅胜场。电镀技术优势是能提供更佳的线宽 (pitch)能力和凸块的平面度，可提供较大的晶片面积 (die size)，同时电镀凸块技术适合高铅制程的特性，更可大幅提高晶片 (die)的可靠度，增加晶片的强度与运作效能，相当适用在覆晶技术制程上。
目前电镀技术主要应用在PC相关的中央处理器(CPU)、晶片组及绘图晶片、电信产业方面的可程式逻辑元件 (PLD)，及Power IC等产品上，成为目前各家封装厂商积极开发的制程技术。
日月光半导体研发副总经理李俊哲表示：“由于覆晶技术能满足高阶系统产品发展需求，在未来的高阶晶片市场重要性与日俱增，加上晶圆制造已迈入0.13微米制程，使得覆晶封装炙手可热。”
未来日月光也将8吋电镀技术的成功开发经验，快速移转至12吋晶圆，以吸引更多高阶领域客源，全速抢占全球封测市场领导地位。
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