【大纪元12月7日讯】〔自由时报记者梁世煌╱台北报导〕12月份DRAM合约价出炉，在市场需求持续回软的情况下，包括DDR400、333的晶粒、模组合约报价全数回跌，跌幅约在2.53%至4.24%。DRAM通路业者认为，由于目前DRAM现货价格下修压力仍在，加上Hynix等大厂持续流血倒货，恐将不利于12月份的OEM合约价止跌回升。
根据集邦科技昨天公布的数据，12月上旬DDR400、333模组合约价最高及最低均为38.5美元及36美元，与11月下旬相较，前者跌幅为2.53%，后者则维持持平局面。
在DDR400、333晶粒方面，12月上旬的合约价最高均为4.56美元，最低均为4.25美元，与11月下旬相较跌幅分别为2.67%及4.24%。
至于昨天的DRAM现货价部分，在经过这波下修之后已略见止跌，包括DDR400、333等规格产品多呈现持平，其中DDR400(32Mbx8)更出现0.13%的涨幅，终场其现货均价以3.79美元作收。
面对12月份DRAM合约价回跌，昨天召开法说会的南科(2408)发言人白培霖认为，由于今年耶诞节效应不如预期，第4季的DRAM报价因此偏弱，他认为，在现货市场价格表现不佳之下，尽管合约市场有需求增强的利多，但其合约报价短线仍有修正压力。
而受到DRAM合约价走跌的影响，DRAM族群昨天的股价买气也多偏向保守，除了华邦(2344)、茂德(5387)微涨收红外，包括南科、力晶(5346)等均收黑。分析师认为，若是DRAM报价未见反弹，则短期内DRAM相关个股维持狭幅震荡整理的概率不低，恐将不利类股转强。
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