【大紀元1月13日訊】 新一代芯片制程技術的研究小組“終极紫外線項目”（The Extreme Ultraviolet LLC），最近已發展出第一台使用极端紫外線蝕刻（EUV）制造的芯片制造設備。這意味著半導体工業達到又一個重要的里程碑，已經向生產10-GHz芯片的目標邁出了第一步。
据ZDNet報道，這种設備是EUV工程測試版設備，用來制造速度10-GHz以上芯片的新一代芯片制造机器。目前市面上最快的個人計算机處理器，速度也只不過略高于1-GHz。
EUV LLC預定在未來數月里測試這台机器，然后試用此裝置制造處理器。該設備采用的蝕刻技術稱為稱為光微影術（photolithography），作用類似攝影。使用机器在硅晶片上印制電路圖，待那些圖像顯示出來（類似照片顯像）后，便可在硅晶片上蝕刻出想要的芯片。
類似這种新一代蝕刻過程的技術進展，對于英特爾和超微等芯片制造商极為重要，因為EUV正是他們未來賴以提升芯片速度的利器。
目前使用的深度超紫外線（deep ultraviolet）蝕刻技術，預計制程技術只能再升級一、兩代，縮到芯片僅100納米（或0.1微米）時，莫爾定律就會遭遇瓶頸，估計英特爾和超微等制造商到2004年或2005年，就會碰到這种障礙，無法再生產更快速的芯片。目前，芯片制造商正努力轉型至0.13微米的制程。
隨著芯片制造商將芯片尺寸降到100納米以下，勢必需要新的蝕刻技術，因為隨著芯片縮小，用于光蝕刻過程的光波波長也必須縮短。深度紫外線蝕刻技術使用240納米的波長。相比之下，EUV使用的波長要短得多。
EUV LLC預期，今年4月1日前會完成第一批使用新技術制作的全范圍掃描圖像，到2002年完成工具測試，Z沼?003年年底前生產制造工具雛形机，2005年便可推出正式的制造工具。
