【大纪元1月13日讯】 新一代芯片制程技术的研究小组“终极紫外线项目”（The Extreme Ultraviolet LLC），最近已发展出第一台使用极端紫外线蚀刻（EUV）制造的芯片制造设备。这意味着半导体工业达到又一个重要的里程碑，已经向生产10-GHz芯片的目标迈出了第一步。
据ZDNet报道，这种设备是EUV工程测试版设备，用来制造速度10-GHz以上芯片的新一代芯片制造机器。目前市面上最快的个人计算机处理器，速度也只不过略高于1-GHz。
EUV LLC预定在未来数月里测试这台机器，然后试用此装置制造处理器。该设备采用的蚀刻技术称为称为光微影术（photolithography），作用类似摄影。使用机器在硅晶片上印制电路图，待那些图像显示出来（类似照片显像）后，便可在硅晶片上蚀刻出想要的芯片。
类似这种新一代蚀刻过程的技术进展，对于英特尔和超微等芯片制造商极为重要，因为EUV正是他们未来赖以提升芯片速度的利器。
目前使用的深度超紫外线（deep ultraviolet）蚀刻技术，预计制程技术只能再升级一、两代，缩到芯片仅100纳米（或0.1微米）时，莫尔定律就会遭遇瓶颈，估计英特尔和超微等制造商到2004年或2005年，就会碰到这种障碍，无法再生产更快速的芯片。目前，芯片制造商正努力转型至0.13微米的制程。
随着芯片制造商将芯片尺寸降到100纳米以下，势必需要新的蚀刻技术，因为随着芯片缩小，用于光蚀刻过程的光波波长也必须缩短。深度紫外线蚀刻技术使用240纳米的波长。相比之下，EUV使用的波长要短得多。
EUV LLC预期，今年4月1日前会完成第一批使用新技术制作的全范围扫描图像，到2002年完成工具测试，Z沼?003年年底前生产制造工具雏形机，2005年便可推出正式的制造工具。
