工研院与台积电延续MRAM技术合作发展计划

【大纪元1月5日报导】（中央社记者何易霖新竹5日电）工研院电子所与台积电今天共同宣布，双方再度签订“磁阻式随机存取记忆体（MRAM）合作发展计划”，将延续过去3年的合作经验，朝向MRAM的技术开发与下世代的MRAM技术研究，提升台湾新兴记忆体技术竞争力。

工研院电子所所长陈良基表示，电子所过去3年与台积电在MRAM的技术合作开发，有效结合台积电前段制程技术及电子所的后段制程技术的优势，除开发出MRAM 单位元及与CMOS制程整合之关键技术外，也将高密度与低功率的创新专利构想成功地实现在1 Kbit的MRAM中。

台积电研发资深副总蒋尚义表示，有鉴于过去成功与愉快的合作经验及另人满意的MRAM量产化可行性初步评估结果，台积电与工研院电子所再度签约延续合作开发计划。

他说，未来双方合作方向除继续朝各项元件功能改善与制程最佳化发展外，将结合旗下客户需求，进行量产阶段前的最后评估，进一步探讨并克服未来元件尺寸微缩时可能遭遇到的技术障碍，预期这项合作将使台积电率先成为世界MRAM先进技术拥有者与量产者。