【大纪元4月19日报导】(中央社记者何易霖台北十九日电)DRAM 价格自农历年后走跌，业者首季营运普遍衰退，展望后势发展，力晶半导体董事长黄崇仁表示，DRAM价格可望于第2季落底，第3季起随传统旺季及DDRII市场逐渐成熟后，可望逐步反弹，过去DRAM厂商随产业景气暴起暴落而大赚或大亏的情况也不会复见。
黄崇仁表示，今年首季DRAM价格急跌，主要因市场需求疲弱，业者营运普遍较上季下滑，第2季由于PC及主板传统淡季，整体状况仍将走淡，估计第2季DRAM价格将在2.3至2.5美元之间，4月价格将是谷底，黄崇仁认为今年DRAM全年价格约较去年下滑25%至30%，但价格走跌，多少也会激励个人电脑使用者增加搭载容量，刺激买气。
黄崇仁指出，今年第3季起随着传统旺季带动，以及DDRII市场成熟，DRAM产业可望开始复苏，其中512MbDDRII533/667将是带动DRAM回温的关键，可望成为维系力晶利润的主力。
黄崇仁说，512Mb DDRII533/667可望自第3季起成为主流，力晶除持续进行成本降低策略，第2季起产出以0.11微米制程为主外，也开始进行DDRII 产品布局，预计512Mb DDRⅡ将自第2季开始出货，第3季成为12吋晶圆厂的投片主流，未来逐步导入至90奈米制程生产，并以成本降至3美元以下为目标。依力晶规划，第3季512Mb DDRII533/667产品出货将占4成，并逐步切入合约市场，引领力晶迈向有效测试（eTT）与OEM双主流市场导向。
黄崇仁指出，随着DRAM制程技术愈加困难，12吋晶圆厂投资资金庞大，未来业者投入的资本支出将更加谨慎，产能增加相对有限，加上部分产能提拨生产FLASH，未来实际DRAM产能增加相当有限，对业者将有良性影响。
黄崇仁认为，随着业者投资愈趋谨慎，有效降低供需失衡的风险，未来业者营运虽然仍会受季节性因素影响，但过去随产业景气暴起暴落而大赚或大亏的情况将不会再现。
黄崇仁强调，力晶在12吋晶圆厂布局仍将持续，第二座12吋晶圆厂（12B）第2季达第一阶段1.5万片月产能后，年底将朝月产能2.5万片迈进，明年下半年将可达4万片满载规模，合计今年底力晶12吋晶圆厂总月产能可望达7万片，稳坐全台湾最大12吋晶圆产能宝座，同时，第三座12吋晶圆厂（12C）也将于今年第4季动土。
