【大纪元1月22日报导】(中央社记者张建中台北二十二日电)力晶总经理谢再居今天表示，力晶去年DRAM位元数产出增加85%，预期今年DRAM位元数产出可望再增加70%。力晶董事长黄崇仁指出，力晶今年业绩可望较去年成长5成以上水准，将是全世界难得一见的业绩成长的半导体厂。
谢再居说，力晶12A及12B等两座12吋厂，去年第四季已达满载月产9万片规模，12M厂去年第四季月产1.5万片，预计今年第一季将进一步扩增至2.5万片规模，预期今年第一季公司DRAM位元数产出可望增加15%。
谢再居表示，12M厂今年上半年月产能可望扩增至4万片，甚至可能达到4.5万片规模，此外，公司70奈米制程512MB DRAM也将于今年上半年投入量产；位于后里的瑞晶12吋厂，将于今年下半年投入量产，力晶70奈米1GB DRAM及70奈米8GB Flash也将陆续于下半年量产。
根据统计，力晶去年DRAM位元数产出增加85%，预期今年在12M厂扩产，及瑞晶12吋厂投产挹注产能，再加上公司制程技术推进至70奈米，今年DRAM位元数产出可望再增加70%。
黄崇仁指出，力晶去年资本支出约850亿元，初步规划今年资本支出约690亿元；至去年底公司手头现金多达401亿元，因此财务状况仍属健全。
