【大紀元12月20日訊】（大紀元記者徐豐喜編譯）由IBM公司所開發的新一代記憶體技術「相變化記憶體（Phase-change memory）」可能取代目前所使用的快閃記憶體（Flash memory）和硬碟。
根據IDG News Service的消息，比起目前所使用的快閃記憶體，IBM公司於12月初所發表的新一代的記憶體能讓iPod和數位相機等裝置儲存更多音樂、圖片和其它的資料，有一天甚至可以取代硬碟的功能。他們表示，目前公司所展示的原型機，只需花一半的電力，而操作速度比快閃記憶體要快上500倍。
更小更快
這種電路的元件比起目前所使用的快閃記憶體要小的多，大約是3乘20奈米（1奈米等於10億分之1公尺），廠商估計相變化記憶體將會在2015年成為主要的生產技術。研究者將新的材料應用在記憶體晶片中，這種稱為鍺合金的新型材料可以改進記憶體的性能，這種新材料正在申請專利中。
除了IBM公司外，其它的廠商包括從Infineon Technologies公司分離出來的Qimonda公司、台灣的Macronix公司都在研發類似的產品。
令人興奮的突破
相變化記憶體的發明是一種大的突破，然而消費者還需耐心的等候幾年才能看到這種技術的相關產品。這種記憶體看起來頗有潛力，它是一種新型的非揮發性記憶體，所謂的非揮發性記憶體是一種可以長期保存資料而不需消耗電力的記憶體，比起同樣是非揮發性記憶體的快取記憶體，相變化記憶體更能有效而長久的保存資料。
快閃記憶體目前面臨瓶頸，當工程師將元件越做越小，卻發現漏電的情況越來越嚴重，而導致記憶體無法長期保存資料，快閃記憶體元件的最小尺寸約為45奈米，這種小尺寸的元件要達到產品化還需要等待幾年的時間。
研究者表示，相變化記憶體的元件最小可達22奈米，遠比快閃記憶體小，而且它的壽命較長，目前的快閃記憶體只能允許10萬次的讀寫動作。
儘管這種新的技術前景看好，但是還需要克服幾個主要的問題，一個是它必須容易量產，第二個是必須壓低成本。Rambus公司曾經嘗試使用新的技術取代目前電腦中的主要記憶體，並獲得Intel公司的支持，但最後卻失敗了，有些公司認為這是因為生產成本太高所致，但是Rambus公司卻不認同這樣的說法。(http://www.dajiyuan.com)
