【大纪元6月24日报导】(中央社记者张建中新竹24日电)记忆体制造厂旺宏电子今天宣布，3D(3维)储存型快闪记忆体 (NAND Flash)技术研发成果获VLSI评选为重要焦点论文。
旺宏总经理卢志远表示，NAND Flash制程技术推进快速，将率先面临摩尔定律的极限，根据ITRS(全球半导体制程蓝图制定委员会)评估，2014年3D技术将提供一个NAND Flash得以持续微缩的解决方案。
卢志远指出，旺宏的3D NAND Flash是采用75奈米自行研发的能隙工程电荷局限储存元件 (BE-SONOS)技术，通过组合8层结构单元，将每个单元记忆体面积缩小至0.0014平方微米。
值得注意的是，实验显示除了没有单元记忆体间垂直方向相互干扰问题，同时具良好读取电流及多元记忆能力。
旺宏3D NAND Flash技术研发成果顺利获得素有IC整合技术界奥林匹克的VLSI评选为重要焦点论文肯定。
