【大纪元1月11日报导】（中央社记者钟荣峰台北11日电）记忆体大厂美光扩大委外封装合作，东芝新厂可望今年量产。日月光、力成、南茂、华东等台厂积极布局，今年记忆体封测竞争卡位，势必激烈。
展望今年，国际记忆体大厂集中资源开发前端制程，包括动态随机存取记忆体(DRAM)和快闪记忆体(Flash)后段封测可能扩大委外，封测台厂考量自身发展，积极与国际大厂洽商合作。
美光(Micron)去年以20亿美元买下日本记忆体大厂尔必达(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率约1倍。
为进一步整合DRAM封测业务，去年下半年美光着手洽商DRAM后段封测伙伴，计划在中国大陆西安建立标准型DRAM(Commodity DRAM)封装产线，配合美光原先在西安设立的DRAM测试厂。
产业人士指出，美光在西安计划新设DRAM封装产线，除了业务整合外，也希望稳定自身DRAM封装与测试产线于同一定点。从市场考量，西安持续提供招商优惠，美光也可就近供应中国大陆市场需求。
产业人士表示，美光计划扩大委外DRAM后段封装，以专注开发前端记忆体高阶制程，今年整合DRAM后段封测业务，脚步会加快。
法人透露，美光已陆续与日月光、力成、华东、南茂和硅品等封测台厂，洽商在西安合作DRAM封装产线事宜。
产业人士指出，日月光计划重回记忆体封测领域，扩大营收规模，日月光与美光双方合作意愿颇高，不排除日月光与美光今年合作DRAM封装的可能性。
不过法人表示，美光DRAM封装合作对象尚未定案，目前仍在洽谈中。
从封装设备角度来看，产业人士表示，逻辑晶片和记忆体之间封装设备大同小异，DRAM封装产线也多采用打线封装，彼此可相互支援，加上日月光先前也曾透过日月鸿切入记忆体封测领域，日月光若重回记忆体封装领域，预估封装设备机台支出不大。
若日月光布局DRAM记忆体封装，对南茂、力成和华东记忆体封测台厂将形成激烈竞争压力。
观察美光DRAM封装委外比重，法人预估，其中大约4成到5成由美光自力完成，约2成多委外由南茂封装，约1成多到2成由力成封装。
特定封测台厂也曾仔细考虑与美光合作记忆体测试的可能性，测试毛利率较高，而在DRAM后段封装，台厂没有太多主动空间。
其他封测台厂考量西安设厂环境、距离与自身发展规划，对与美光合作DRAM封装态度相对观望，但持续关注美光委外DRAM后段封装的发展态势。
另一方面，东芝(Toshiba)和晟碟(SanDisk)合资兴建的NAND型快闪记忆体(NAND Flash)新厂，预估今年可开始量产采用先进细微化技术的高性能NAND Flash产品。
法人表示，目前东芝NAND型快闪记忆体主要委由力成和艾克尔(Amkor)封测。东芝新厂和既有NAND型快闪记忆体封测委外订单，包括力成、华东和南茂等，今年积极布局，竞争势必相当激烈。
产业人士指出，美光也规划逐步委外释出位于新加坡NAND型快闪记忆体封测厂的测试业务。目前美光NAND型快闪记忆体测试，除了美光自己测试外，部分也委由力成。若美光计划扩大释出测试订单，力成以及华东也将积极切入。
整体观察，国际记忆体大厂今年集中火力开发前端制程，进一步整合封测业务，扩大后段封测委外，封测台厂正积极布局，密切观察局势发展。今年台厂在记忆体封测领域，竞争卡位态势将较以往更加激烈。
