【大紀元6月22日報導】(中央社記者張建中新竹二十二日電)動態隨機存取記憶體(DRAM)合約價與現貨價近期表現不同調，其中 6月下旬合約價續創今年新高紀錄，現貨價走勢則較 5月底價格微幅走揚或下跌。台灣DRAM廠 6月業績表現恐將因而不同調，南科與茂德 6月業績表現可望優於現貨產品比重偏高的力晶。
根據集邦科技調查，DDR2 1Gb顆粒合約均價繼6 月上旬上漲3.01%後，6月下旬再上漲2.7%，達2.38美元價位，續創今年來新高紀錄；6 月DRAM合約價平均上漲約6.8%，與國內業者原本規劃6月合約價再調漲5%至10%相符，呈現淡季不淡表現。
反觀DRAM現貨價近期走勢相對疲軟，集邦科技調查，DDR2 1Gb eTT均價在 6月11日創下2.15美元高價後，目前均價已急遽滑落至2.01美元，僅較5月底的2美元微幅上漲0.5%。
至於市場主流的DDR2 1Gb品牌顆粒，目前現貨均價更已滑落至2.11美元，較 5月底的2.13美元，微幅下滑0.94%。
業者表示，近期DRAM合約價與現貨價走勢不同調，可能與南韓三星電子大批DRAM模組遭個人電腦代工客戶退貨有關。
業者指出，三星電子是1Gb產品遭退貨，退貨數量高達8000萬顆，雖然目前三星電子被退的貨尚不確定如何處置，不過市場普遍揣測，三星將於現貨市場處分機率高，恐將因而使得短期DRAM現貨市場供給激增，進而影響現貨價走軟。
至於DRAM合約市場，在供給相對減少下，有助於減緩供過於求情況，進而使得DRAM合約價走勢相對強勁，逆勢持續走揚，展現 6月淡季不淡的局面。
隨著6月合約價持續走揚，南科與茂德6月業績可望同步持續攀升，同創今年單月營收新高紀錄。至於力晶，由於公司DRAM產品以現貨市場為大宗，此外，公司旗下瑞晶傳出跳電意外，6 月業績表現恐將因而遭受波及，相對南科及茂德疲弱。
即便短期DRAM現貨與合約市場恐將因三星遭退貨事件而呈現不同調局面，不過第三季時序已逐漸步入產業傳統旺季，屆時DRAM合約價與現貨價可望同步走揚，並將有助於國內DRAM廠營運表現持續好轉。
