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【大纪元3月20日报导】（中央社记者张建中新竹二十日电）台积电今天获准赴中国投资0.18微米制程技术。另一已送件申请登陆投资0.18微米的茂德表示，相信公司申请案也能够获准；力晶说，公司不急着送件申请赴中国大陆投资0.18微米。
茂德副总经理曾邦助表示，公司目前中国重庆厂仍处建厂阶段，预计今年底可望完工投入量产；依照建厂时程来看，仍有相当充裕的缓冲时间，只要于完工前获准登陆投资0.18微米，便有助于提升公司中国大陆厂未来竞争力。
曾邦助说，茂德台湾厂最先进制程技术已达70奈米，与台积电的65奈米相当，若以制程技术领先情况来看，茂德可望继台积电之后，成为国内第二家获准登陆投资0.18微米制程的半导体厂。
力晶副总经理兼发言人谭仲民表示，目前力晶登陆兴建8吋晶圆厂仍处前期规划阶段，由于公司与尔必达合资的瑞晶建厂为力晶现阶段营运重点，因此，公司并不急着决定中国设厂地点，甚至是申请投资0.18微米。
